R1WV6416RBG-5SI#B0
![Kalite [#varpname#] Fabrika](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Üretici:
RENESAS
Açıklama:
R1WV6416RBG-5SI - Düşük Güçlü SRAM
Kategoriler:
Hafıza
Özellikler
Kategoriler:
Entegre devreler (IC)
Hafıza
Hafıza
Ürün Durumu:
Eski
Montaj Tipi:
Yüzey Montajı
Paket:
Toplu olarak
Seriler:
-
Bellek Arayüzü:
Paralel
Yazma Döngüsü Süresi - Kelime, Sayfa:
55ns
Tedarikçi Cihaz Paketi:
48-TFBGA (8.5x11)
Bellek Türü:
Uçucu
Mfr:
RENESAS
Hafıza boyutu:
64Mbit
Voltaj - Güçlendirme:
2.7V ~ 3.6V
Paket / Çanta:
48-TFBGA
Hafıza Organizasyonu:
4M x 16, 8M x 8
Çalışma sıcaklığı:
-40°C ~ 85°C (TA)
Teknoloji:
SRAM - Asenkron
Erişim süresi:
55 sn
Bellek formatı:
SRAM
Tanıtım
SRAM - Eşzamanlı Bellek IC 64Mbit Paralel 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)
İlişkili Ürünler
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| resim | parça # | Açıklama | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
RFQ gönder
stok:
MOQ: